特許
J-GLOBAL ID:200903053660665171

重ね合わせ用マーク、重ね合わせ精度測定方法およびアライメント方法、並びに半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 金田 暢之 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-213720
公開番号(公開出願番号):特開2001-044094
出願日: 1999年07月28日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】【課題】 微細かつ高密度の回路パターンの形成においても、多層回路パターンを高い重ね合わせ精度で歩留まりよく形成する。【解決手段】 積層されるパターンの重ね合わせ精度の測定や露光時のアライメントに用いられる重ね合わせ用マークにおいて、回路パターンが形成される層の所定箇所に溝あるいは窪みを彫り込んで形成されたマークパターンが、この層の熱伸縮により変形しないようにこのマークパターンを取り囲む溝パターンを設ける。
請求項(抜粋):
回路パターンが形成される層の所定箇所に溝あるいは窪みを彫り込んで形成されたマークパターンと、該層の熱伸縮による該マークパターンの変形を防止できるように該マークパターンを取り囲む溝パターンを有することを特徴とする重ね合わせ用マーク。
Fターム (6件):
5F046EA03 ,  5F046EA04 ,  5F046EA12 ,  5F046EB07 ,  5F046ED01 ,  5F046FC01
引用特許:
審査官引用 (6件)
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