特許
J-GLOBAL ID：200903053723735450

半導体構造

発明者：
ラムダニ、ジャマル

ラムダニ、ジャマル について

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ドルーパッド、ラビンドラナス

ドルーパッド、ラビンドラナス について

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ヒルト、リンディ エル.

ヒルト、リンディ エル. について

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アイゼンバイザー、カート ウィリアム

アイゼンバイザー、カート ウィリアム について


出願人/特許権者：
モトローラ・インコーポレイテッド

モトローラ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-559047
公開番号（公開出願番号）：特表2003-523080
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2003年07月29日
要約：
【要約】最初にシリコンウェハ(22)上で調整緩衝層(24)を成長させることによって、化合物半導体材料の高品質エピタキシャル層を、大きいシリコンウェハを覆うように成長させることができる。調整緩衝層は、酸化ケイ素の非晶質境界層(28)によってシリコンウェハから空間的に分離された単結晶酸化物の層である。非晶質境界層は応力を消散させ、それによって高品質単結晶酸化物調整緩衝層が成長することができる。調整緩衝層は、下層のシリコンウェハおよび上層の単結晶化合物半導体層(26)の両方に格子整合している。調整緩衝層と下層のシリコン基板との間の格子不整合は、非晶質境界層で対応している。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板と、 該単結晶シリコン基板を覆う非晶質酸化物材料と、 該非晶質酸化物材料を覆う単結晶ペロブスカイト酸化物材料と、 該単結晶ペロブスカイト酸化物材料を覆う単結晶化合物半導体材料と、 からなる半導体構造。
IPC (10件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/095 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/267
FI (10件)：
H01L 21/20 ,  H01L 27/15 A ,  H01L 27/15 B ,  H01L 27/15 C ,  H01L 29/267 ,  H01L 29/80 E ,  H01L 27/06 F ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 27/06 321 A ,  H01L 27/06 102 A
Fターム (60件)：
5F048AA01 ,  5F048AC05 ,  5F048AC10 ,  5F048BA03 ,  5F048BB05 ,  5F048BF11 ,  5F048CA02 ,  5F048CA03 ,  5F048CA07 ,  5F048CB01 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F052JA05 ,  5F052JA06 ,  5F052JA07 ,  5F052JA08 ,  5F052JA10 ,  5F052JB03 ,  5F052KA01 ,  5F052KA02 ,  5F052KA05 ,  5F082AA08 ,  5F082AA40 ,  5F082BA06 ,  5F082BA10 ,  5F082BA47 ,  5F082BA48 ,  5F082BA50 ,  5F082BC01 ,  5F082BC08 ,  5F082BC09 ,  5F082BC13 ,  5F082BC20 ,  5F082CA01 ,  5F082CA02 ,  5F082CA03 ,  5F082CA08 ,  5F082EA22 ,  5F082EA32 ,  5F082FA05 ,  5F102GA05 ,  5F102GA12 ,  5F102GA14 ,  5F102GA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK02 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GR01 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (5件)
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