特許

J-GLOBAL ID：200903050262482882

研磨剤、研磨方法及び電子部品の製造方法

発明者： 榎本 和宏 ,  倉田 靖 ,  芳賀 浩二
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-368636
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297035
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】層間絶縁膜、BPSG膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するCMP技術において、研磨を効率的、高速に、均一にかつ研磨装置依存性なく、容易に行うことができる研磨剤、研磨方法、およびこれらにより得られる電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、添加剤及び水を含み、表面張力が45dyn/cm以下である研磨剤であり、好ましくは、添加剤として、表面張力を低下させる第1の添加剤と、平坦性を向上させる第2の添加剤とを含む研磨剤。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、分散剤、少なくとも一種の添加剤及び水を含む研磨剤であって、表面張力が45dyn/cm以下であることを特徴とする研磨剤。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (6件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622B ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (4件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許番号3278532号公報
  
• 酸化セリウム研磨剤、基板の研磨法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-184791   出願人：日立化成工業株式会社

審査官引用 (5件)

• CMP研磨剤及び基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197277   出願人：日立化成工業株式会社
• 化学機械研磨用水系分散体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-055349   出願人：ジェイエスアール株式会社
• CMP研磨剤及び基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-177702   出願人：日立化成工業株式会社
• 酸化セリウム研磨剤及びこれを用いた基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-073685   出願人：日立化成工業株式会社
• 基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-162319   出願人：日立化成工業株式会社