特許
J-GLOBAL ID：200903053829950091

半導体発光素子、画像表示装置、照明装置及び半導体発光素子の製造方法

発明者：
大畑 豊治

大畑 豊治 について

, 
土居 正人

土居 正人 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211366
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031841
出願日： 2001年07月11日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】特定の結晶面を持った平坦な基板主面にエピタキシャル成長によって結晶を成長させて作成する半導体発光素子では、基板と結晶層の境界面は平坦であり、基板と素子が接合していた素子側の面である結晶層の下側の面が光の取り出し面になる場合には、発生した光のうち全反射によって外部に取り出せない光も存在し、光取り出し効率を上げることができない。【解決手段】 本発明は、結晶成長層の上側に第1導電型層、活性層、及び第2導電型層からなる結晶層が設けられ、光の取り出し領域である結晶成長層の下側の面に凹凸を形成することによって、平坦な面での全反射を抑え、光散乱させることによって半導体発光素子の光取り出し効率を増強することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
結晶成長層の上側に第1導電型層、活性層、及び第2導電型層からなる結晶層が設けられ、前記結晶成長層の下側の面は凹凸を有してしていることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C
Fターム (7件)：
5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA81
引用特許：
審査官引用 (8件)
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