特許
J-GLOBAL ID：200903053853610536
成膜方法及び成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-109943
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313728
出願日： 2001年04月09日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハをバッチ式で熱処理する例えば縦型熱処理装置において、ウエハボートにウエハを満載せずに空き領域を形成するショートバッチで成膜処理を行う場合、空き領域においてはウエハにより処理ガスが消費されないのでその分反応容器の内壁及びウエハボートに付く膜の累積膜厚が大きくなると共にその値が把握できず、メンテナンスサイクルが短くなる。【解決手段】 製品ウエハに対してショートバッチで行う場合のウエハの積み方と同じように予めダミーウエハをウエハボートに搭載すると共にモニターウエハを空き領域に配置し、実際と同じプロセスを行ってモニターウエハW1上の薄膜の膜厚を測定する。そして製品ウエハが配置される領域のウエハのW2の膜厚と比較し、前記モニターウエハW1の膜厚がウエハW2の膜厚と同程度となるように、空き領域に対応するヒータの発熱量を調整する。
請求項（抜粋）：
多数の基板を反応容器の長さ方向に配列保持する保持具に基板を満載して反応容器内に搬入し、反応容器内を加熱すると共に反応容器内に処理ガスを供給して基板に成膜処理を行うフルバッチモ-ドと、前記保持具における基板の載置領域の一部に基板を保持させ、残りの載置領域を空き領域とした状態で成膜処理を行うショ-トバッチモ-ドと、を備えた成膜処理装置を用いて成膜処理を行う方法において、空き領域にモニタ-基板を載置してショ-トバッチモ-ドを行う工程と、この工程の後、前記モニタ-基板の膜厚を測定する工程と、この工程における膜厚の測定結果に基づいて、空き領域に対応する位置にある装置部品の累積膜厚を予測する工程と、を含むことを特徴とする。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030HA13
, 4K030JA10
, 4K030JA12
, 4K030KA04
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 5F045AA03
, 5F045AD11
, 5F045BB15
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EK06
, 5F045EK22
, 5F045EK30
, 5F045GB13
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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