特許
J-GLOBAL ID：200903053859730673
三次元半導体パッケージ製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-111215
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287802
出願日： 2006年04月13日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】 汎用品を含む各種半導体ディバイスを三次元実装するとともに各半導体ディバイス間の配線の短縮化、微細化或いは高密度化を図った三次元半導体パッケージを簡易な工程により高精度に製造する。 【解決手段】 第1ダミー基板2上に半導体ディバイス8と第1配線層9と導電ポスト10を封止樹脂層11に埋め込みかつ研磨により薄型化する工程を施し、第2ダミー基板3を接合した後に第1ダミー基板2を剥離した剥離面34上に第2配線層12を形成する単位ウェハ層基板体製作工程により単位ウェハ層基板体4を製作し、第2ダミー基板3を剥離した単位ウェハ層体5を順次積層する。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
主面上に第1剥離層を形成した第1ダミー基板を用い、
上記第1剥離層上に第1配線層を形成する第1配線層形成工程と、
上記第1配線層上に複数個の導電ポストを形成する導電ポスト形成工程と、
上記第1剥離層上の上記第1配線層の非形成領域に、電極形成面を搭載面として少なくとも1個以上の半導体ディバイスを搭載する半導体ディバイス搭載工程と、
上記第1ダミー基板上に、上記導電ポストと上記半導体ディバイス及び上記第1配線層を封止する封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程と、
上記封止樹脂層と上記半導体ディバイス及び上記導電ポストを研磨して上記導電ポストの先端部を研磨面に露出させて第1接続端子として構成する研磨工程と、
主面上に第2剥離層を形成した第2ダミー基板を用い、
上記第2ダミー基板を上記第2剥離層を介して上記研磨面上に接合する第2ダミー基板接合工程と、
上記第1剥離層を介して上記第1ダミー基板を剥離することにより、上記第1配線層及び上記半導体ディバイスの上記電極形成面を剥離面に露出させる第1ダミー基板剥離工程と、
上記剥離面上に、上記第1配線層や上記半導体ディバイスの電極と接続されるとともに上面側にビアを介して接続された第2接続端子を有する第2配線層を形成する第2配線層形成工程と
を経て、第2ダミー基板上に、第2剥離層を介して上記半導体ディバイスと上記第1配線層及び上記各導電ポストを埋め込んだ上記封止樹脂層と、この封止樹脂層上に積層形成された第2配線層からなる単位ウェハ層体が積層された単位ウェハ層基板体を製作し、
上記単位ウェハ層基板体製作工程を経て製作した第1層単位ウェハ層基板体の上記第2配線層上に、
別工程により製作した第2単位ウェハ層基板体に対して上記第2剥離層を介して上記第2ダミー基板を剥離して上記半導体ディバイスの実装面及びこの実装面と同一面を構成する上記各導電ポストの第1接続端子を露出させる第2ダミー基板剥離工程と、この露出面に接着層を形成する接着層形成工程を施して製作した第2層単位ウェハ層体を接合する第2層単位ウェハ層体接合工程を施して、上記第1層単位ウェハ層基板体と上記第2層単位ウェハ層体との中間積層体を製作し、
上記中間積層体に対して、別工程により製作した上層単位ウェハ層基板体にそれぞれ第2ダミー基板剥離工程と接着層形成工程を施して製作した各層単位ウェハ層体を積層する単位ウェハ層体接合工程を順次施した後に、上記第1層単位ウェハ層基板体から上記第2剥離層を介して上記第2ダミー基板を剥離する工程を施して、三次元半導体モジュールを製造することを特徴とする三次元半導体モジュールの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 23/12
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/52
H01L23/12 N
, H01L25/08 Z
, H01L23/52 C
