薄膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177900
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012468
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】大面積基板においても均一な膜厚で成膜し得る薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】電気的エネルギーを供給して材料ガスをプラズマ状態にする工程と、該材料ガスを活性種に分解する工程と、該活性種を基板上に堆積させる工程とを包含し、該電気的エネルギーの供給時間がプラズマ密度緩和時間よりも短い機能薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

電気的エネルギーの供給と休止とを繰り返す工程と、該電気的エネルギーによって材料ガスをプラズマ状態にする工程と、該材料ガスを活性種に分解する工程と、該活性種を基板上に堆積させる工程とを包含する、薄膜の製造方法であって、該電気的エネルギーの供給時間がプラズマ密度緩和時間よりも短い、薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/50 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/50 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 A

Fターム (16件)：

4K030FA01 , 4K030JA11 , 4K030KA30 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD06 , 5F045AE19 , 5F045AF07 , 5F045BB02 , 5F045CA13 , 5F045DP04 , 5F045EH14 , 5F045EH19 , 5F045EK07 , 5F045GB08

引用特許：

審査官引用 (8件)

アモルファスシリコン薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-234705 出願人：日電アネルバ株式会社
特開昭64-073620
プラズマCVD法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-327369 出願人：日新電機株式会社

全件表示

前のページに戻る