直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000803
公開番号（公開出願番号）：特開2001-192820
出願日： 2000年01月06日
公開日（公表日）： 2001年07月17日
要約：

【要約】【課題】直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】二酸化ケイ素:10〜30モル%、インジウム・錫複合酸化物およびアンチモン・錫複合酸化物の内のいずれか1種または2種を合計で5〜35モル%を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

二酸化ケイ素:10〜30モル%、インジウム・錫複合酸化物およびアンチモン・錫複合酸化物の内のいずれか1種または2種を合計で5〜35モル%を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C04B 35/00 , G11B 7/26

FI (3件)：

C23C 14/34 A , G11B 7/26 , C04B 35/00 H

Fターム (15件)：

4G030AA34 , 4G030AA37 , 4G030AA39 , 4G030AA42 , 4G030AA56 , 4G030BA16 , 4G030GA29 , 4K029BD00 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5D121AA04 , 5D121EE03 , 5D121EE09 , 5D121EE11 , 5D121EE14

引用特許：

審査官引用 (6件)

光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-307466 出願人：三菱マテリアル株式会社
電源装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-102258 出願人：オムロン株式会社
スパッタターゲットおよびその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-100966 出願人：ライボルトマテリアルスゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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