特許
J-GLOBAL ID：200903053908839210
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-139228
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311557
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】本発明は、フォトリソグラフィの工程数を大幅に削減して製造コストを抑え、また電力損失の低減を可能とする半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第1導電型の第1の半導体層18と、前記第1の半導体層18の上面に設けられた第2導電型の第2の半導体層14と、前記第2の半導体層14を貫通して前記第1の半導体層18に達する複数の第1のトレンチ20と、前記第1のトレンチ20の内壁面に設けられたゲート絶縁膜24と、前記ゲート絶縁膜24を介して前記第1のトレンチ20内を充填するゲート電極26とを備える。前記第2の半導体層14の上面から前記PN接合面21までの距離が、前記第1のトレンチ間20のほぼ中央部で最も近接となることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、
前記第2の半導体層を貫通して前記第1の半導体層に達する複数の第1のトレンチと、
前記第1のトレンチの内壁面に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第1のトレンチ内を充填するゲート電極とを備え、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間にPN接合面を有し、前記第2の半導体層の上面から前記PN接合面までの距離が、前記第1のトレンチ間のほぼ中央部で最も近接となることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 29/739
, H01L 29/12
H01L29/78 658A
, H01L29/58 G
, H01L29/78 652E
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 653B
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 652T
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB13
, 4M104BB40
, 4M104CC05
, 4M104DD37
, 4M104DD55
, 4M104FF17
, 4M104GG09
, 4M104GG18
