特許

J-GLOBAL ID：200903053924542383

リソグラフィ用基板材料

発明者： 中谷 功
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261844
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103733
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】電子線リソグラフィにおいて、高エネルギーの電子線を照射したときに、後方散乱電子が基板から発生するのを防ぎ、効率のよいハレーション防止を達成させることができ、より微細な図形を正確に電子線露光することのできるリソグラフィ用基板材料を提供する。【解決手段】500nm以上20μm以下の厚さの窒化炭素層、窒化酸化炭素層あるいは酸化炭素層と、5nm以上150nm以下の厚さの非晶質炭素層との多層膜によって、下地の基板が被覆された構造のリソグラフィ用基板材料とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

500nm以上20μm以下の厚さの窒化炭素層、窒化酸化炭素層あるいは酸化炭素層と、5nm以上150nm以下の厚さの非晶質炭素層との多層膜によって、下地の基板の表面が被覆されていることを特徴とするリソグラフィ用基板材料。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/09

FI (3件)：

H01L21/30 574 ,  G03F7/09 501 ,  H01L21/30 541P

Fターム (13件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025DA19 ,  2H025DA21 ,  2H025DA34 ,  5F046PA04 ,  5F046PA11 ,  5F046PA13 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056DA11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高密度磁気記録媒体パターンドメディアとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-284946   出願人：科学技術振興事業団, 科学技術庁金属材料技術研究所長
• レジスト膜及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-017246   出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
• 露光用マスクの製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-026763   出願人：株式会社東芝