特許
J-GLOBAL ID:200903054008378922
スタンダードセルまたはマクロセルを含む半導体集積回路、およびその配置配線方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-021833
公開番号(公開出願番号):特開2003-224195
出願日: 2002年01月30日
公開日(公表日): 2003年08月08日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、高周波成分の電源ノイズを排除するために、残留インダクタンスが小さく、面積を拡大させることなく、しかも十分な容量を与えるバイパスコンデンサを含む機能スタンダードセルおよびこれを有する半導体集積回路、ならびにその配置配線方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の多層配線層を有するスタンダードセルは、入力および出力信号端子を含む少なくとも1つの機能回路素子が形成された半導体基板と、半導体基板の上方に形成された、入力および出力信号端子を配線するための少なくとも1層からなる信号配線層と、信号配線層の上方に形成された3端子コンデンサとを備え、3端子コンデンサは、電源配線層と、絶縁層を介して電源配線層を挟む第1および第2の接地配線層とを有し、機能回路素子は、電源配線層および第1の接地配線層から電源供給を受ける。
請求項(抜粋):
多層配線層を有するスタンダードセルまたはマクロセルを少なくとも1つ含む半導体集積回路であって、半導体基板の上方に形成された、少なくとも1層からなる信号配線層と、信号配線層の上方に形成された3端子コンデンサとを備え、3端子コンデンサは、電源配線層と、絶縁層を介して電源配線層を挟む第1および第2の接地配線層とを有し、機能回路素子は、電源配線層および第1の接地配線層から電源供給を受けることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件):
H01L 21/822
, H01L 21/82
, H01L 27/04
FI (7件):
H01L 27/04 C
, H01L 21/82 B
, H01L 21/82 W
, H01L 21/82 C
, H01L 21/82 L
, H01L 27/04 D
, H01L 27/04 H
Fターム (33件):
5F038AC05
, 5F038AC09
, 5F038BH03
, 5F038BH10
, 5F038BH19
, 5F038CA03
, 5F038CA05
, 5F038CA07
, 5F038CA17
, 5F038CD02
, 5F038CD05
, 5F038CD09
, 5F038CD14
, 5F038EZ09
, 5F038EZ20
, 5F064AA04
, 5F064CC23
, 5F064DD02
, 5F064DD03
, 5F064DD07
, 5F064DD13
, 5F064DD24
, 5F064EE02
, 5F064EE03
, 5F064EE23
, 5F064EE26
, 5F064EE27
, 5F064EE43
, 5F064EE45
, 5F064EE47
, 5F064EE52
, 5F064HH06
, 5F064HH12
引用特許:
審査官引用 (6件)
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半導体集積回路のレイアウト設計方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-011111
出願人:松下電器産業株式会社
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-180815
出願人:株式会社東芝
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-085175
出願人:日本電気株式会社
-
遅延調整方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-194505
出願人:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-100732
出願人:日本電気株式会社
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特開平4-120771
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