特許
J-GLOBAL ID：200903093435296185

半導体装置およびその製造方法

発明者：
野中 亮

野中 亮 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-100732
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284537
出願日： 2000年04月03日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 新たなスペースを割くことなく電源間容量を形成することで、パッドを増やすことなく電源線のノイズ耐性や高周波特性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 複数の配線層からなる多層配線構造を有し、表面中央部の内部領域11の周囲にパッド領域13が配置された半導体装置において、パッド領域13の下方に、電源間容量19や保護素子31やI/O領域12を形成する入出力素子等の各種素子を形成した。
請求項（抜粋）：
複数の配線層からなる多層配線構造を有し、表面中央部の内部領域の周囲にパッド領域が配置された半導体装置において、前記パッド領域の下方に素子を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/3205
FI (6件)：
H01L 27/04 E ,  H01L 21/82 P ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 21/88 T ,  H01L 27/04 A ,  H01L 27/04 H
Fターム (28件)：
5F033MM21 ,  5F033UU04 ,  5F033UU05 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033VV07 ,  5F033VV10 ,  5F033XX23 ,  5F038BE09 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038CA16 ,  5F038CA18 ,  5F038CD02 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB27 ,  5F064BB28 ,  5F064CC23 ,  5F064DD14 ,  5F064DD26 ,  5F064DD44 ,  5F064DD45 ,  5F064EE22 ,  5F064EE43 ,  5F064EE45
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • セミカスタム半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-121193   出願人：沖電気工業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-122289   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-110489   出願人：ローム株式会社
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