特許
J-GLOBAL ID：200903054125571571

薄膜キャパシタ及びその製造方法

発明者：
曽祢 修次

曽祢 修次 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-003633
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191087
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【課題】 RuO2 を下部電極に用いた場合においても、誘電率、リーク電流特性、及び量産性に優れたペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜キャパシタを提供すること。【解決手段】 Si基板5、バリア層(TiN)4上に下部電極(RuO2 )2を設け、この上にRuを含むペロブスカイト型酸化物層1、この上に積層したペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜3、上部電極6を設けたことを特徴とする薄膜キャパシタである。
請求項（抜粋）：
【請求項1 】 少なくとも下部電極と、上部電極と、両電極に挟持された誘電体薄膜とからなる薄膜キャパシタにおいて、前記下部電極がRuO2 からなり、前記誘電体薄膜がペロブスカイト型酸化物からなり、かつ該下部電極と該誘電体薄膜との界面に該誘電体薄膜とは異なる材料よりなりRuを含むペロブスカイト型酸化物層を有することを特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (5件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01G 55/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
H01L 27/10 651 ,  C01G 55/00 ,  H01L 27/04 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
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