特許
J-GLOBAL ID：200903054134171870

抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリ

発明者：
小田川 明弘

小田川 明弘 について

, 
長野 能久

長野 能久 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-115091
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288008
出願日： 2006年04月19日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】抵抗変化層が酸化物からなる従来の素子とは異なる構成を有し、半導体製造プロセスとの親和性に優れるとともに水素含有雰囲気下における熱処理安定性に優れる抵抗変化素子を提供する。【解決手段】電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、かつ、所定の電圧または電流の印加により、上記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化層3を備え、抵抗変化層が、窒化物を形成しうる第1および第2の元素と、窒素とを含む抵抗変化素子とする。第1の元素は、例えば、Ti(チタン)、Ta(タンタル)、Co(コバルト)、Cu(銅)およびNb(ニオブ)から選ばれる少なくとも1種であればよい。第2の元素は、例えば、Al(アルミニウム)、Hf(ハフニウム)、Cr(クロム)およびSi(ケイ素)から選ばれる少なくとも1種であればよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、かつ、所定の電圧または電流の印加により、前記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化層を備え、 前記抵抗変化層が、窒化物を形成しうる第1および第2の元素と、窒素と、を含む抵抗変化素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (3件)：
H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (23件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083GA29 ,  5F083JA14 ,  5F083JA21 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA21
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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