特許
J-GLOBAL ID：200903054157805396
半導体メモリ装置及びそのプログラミング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-166016
公開番号（公開出願番号）：特開2004-362761
出願日： 2004年06月03日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】相変化メモリ装置に印加されるパルス幅の自動制御方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明は、相変化メモリ装置のメモリセルをリセット状態からセット状態にプログラミングするか、セット状態からセット状態にプログラミングすることに関する。本発明は、プログラミング動作の間、ビットライン電圧を基準電圧と比較する方法や、セル抵抗をセット状態のセル抵抗と比較する方法によってメモリ素子の状態をモニタリングすることにより、セットパルス幅を制御する。セットパルス幅は、メモリ素子の検出された状態によって制御される。本発明によれば、PRAMプログラミングエラーが減少し、プログラミング時間及び電力消費も減らせる。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
半導体メモリ装置のプログラミング方法において、
セットパルスを前記メモリ装置に印加する段階と、
前記セットパルスが印加される間、前記メモリ装置の状態を検出する段階と、
前記メモリ装置が所望のセット状態にあれば、前記メモリ装置の状態に応じて前記セットパルスの幅が制御されるように前記セットパルスを除去する段階と、
を含むことを特徴とするプログラミング方法。
IPC (3件)：
G11C13/00
, H01L27/10
, H01L45/00
G11C13/00 A
, H01L27/10 448
, H01L45/00 A
出願人引用 (2件)
-
米国特許第6,487,113号公報
-
米国特許第6,480,438号公報
審査官引用 (5件)
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