温度制御されるセットパルスを用いてプログラムされるメモリセル

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-159775
公開番号（公開出願番号）：特開2008-059736
出願日： 2007年06月18日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】3つまたは3つ以上の状態を記憶することが可能な相変化メモリを提供する。【解決手段】メモリセル202は、絶縁材料206内に配置された相変化材料204を含んでいる。変化材料204の一方は第1の電極208に、他方は第2の電極210に電気的に結合されている。パルスは、第1の電極208および第2の電極210を介して、メモリセル202に供給される。相変化材料204を通過する電流経路は、第1の電極208および第2の電極210のいずれか1つから、第1の電極208および第2の電極210のもう1つへと伸びている。相変化材料204は、2ビットのデータを記憶するために、4つの状態のいずれか1つにプログラムされる。選択デバイスは、第1の電極208に結合され、相変化材料204へのパルス供給を制御する。このパルスは、相変化材料204をリセットし、残り3つの状態のいずれか1つを相変化材料204にプログラムする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

相変化メモリセルと、温度制御されるセットパルスを上記メモリセルへ印加することによって、3つ以上の状態から選択されたいずれか1つの状態に上記メモリセルをプログラムする回路とを備えている、メモリデバイス。

IPC (4件)：

G11C 13/00 , H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 45/00

FI (4件)：

G11C13/00 A , H01L27/10 448 , H01L27/10 481 , H01L45/00 A

Fターム (10件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA21 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA57 , 5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

ユニバーサルメモリ素子を使用するシステムを有するユニバーサルメモリ素子と、同メモリ素子を読み取り、書き込み、またプログラムするための装置と方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-611284 出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
プログラミング方法、相変化メモリ装置、及び、相変化メモリ書込み動作の駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-179480 出願人：三星電子株式会社
相変化メモリデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-044208 出願人：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル, オヴォニクスインコーポレイテッド

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引用文献：

審査官引用 (1件)

相変化型不揮発性メモリーの現状と可能性

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