特許
J-GLOBAL ID：200903054225867001
垂直空洞半導体面発光レーザ素子および該レーザ素子を用いた光学システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯村 雅俊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-057254
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223433
出願日： 2000年03月02日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：
【要約】【課題】 630nm〜660nm波長帯で発振する特性のよい垂直空洞半導体面発光レーザ素子、および該レーザ素子を用いた各種光学システムの提供。【解決手段】 レーザ発振光は、p側電極112の開口部分から出射される。DBR104,108を形成する各層の厚さはそれぞれλ/4光学距離に、活性層106を含むクラッド領域107,105の厚さはλ/2光学距離の整数倍に形成されている。活性層106は635nmの発振光が得られる組成のGaInAsPを用いる。またDBRの一部にはAsを組成に含むAlInAsPを用いている。これにより、成長表面にヒロックの発生はなく、均一な界面が形成された。その結果DBRの特性が向上し、積層数を減少することができた。また素子抵抗は減少し、発振閾値電流および素子寿命などの素子特性が向上した。またこのレーザ素子を光源に用いることにより高性能の各種光学システムを実現できる。
請求項（抜粋）：
分布ブラッグ反射器がGaAsとGaPの間の格子定数を有し、分布ブラッグ反射器を構成している2種の半導体層の内、少なくとも1つが(Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>)<SB>y1</SB>In<SB>1-y1</SB>As<SB>z1</SB>P<SB>1-z1</SB>(0≦x1≦1,0.5≦y1≦1,0<z1<1)層から構成されたことを特徴とする垂直空洞半導体面発光レーザ素子。
Fターム (10件)：
5F073AA65
, 5F073AB17
, 5F073BA01
, 5F073BA04
, 5F073BA09
, 5F073CA13
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073EA23
