特許
J-GLOBAL ID:200903054240586981
ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
ポレール特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-004414
公開番号(公開出願番号):特開2009-170509
出願日: 2008年01月11日
公開日(公表日): 2009年07月30日
要約:
【課題】プラズマ処理中のウエハ面内に直流的な電位差が発生することを防止し、半導体デバイスにダメージを発生させることなくウエハ温度を応答性よく制御しながらプラズマ処理することができるヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置において、ヒータ内蔵静電チャックの構造を、バイアス電圧を印加する導電性の基材の上に、下から順に絶縁材、2系統のヒータ、絶縁材、略同一の面積を有する2個の静電チャック電極、誘電体膜、の積層構造とし、2系統のヒータの面積を略同一とし、それぞれのヒータを2個の静電チャック電極の下側にそれぞれ配置させ、ヒータへの給電はローパスフィルタを介して同軸ケーブルにて行う。【選択図】図1
請求項(抜粋):
処理室内に設置され試料を保持し得る試料台と、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ生成手段と、前記試料台に配設された静電チャック電極及びヒータと、前記試料台に接続されたイオンエネルギー制御用のバイアス電源と、前記処理室を減圧する減圧手段とを有するプラズマ処理装置において、
前記ヒータは通電経路を介してヒータ用の電源に接続されており、
高周波の電力が、前記ヒータの通電経路に流れ込むことを抑止する抑止手段を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/306
, H01L 21/683
, H02N 13/00
FI (3件):
H01L21/302 101G
, H01L21/68 R
, H02N13/00 D
Fターム (15件):
5F004AA06
, 5F004BB11
, 5F004BB12
, 5F004BB14
, 5F004BB22
, 5F004BB26
, 5F004BB29
, 5F031CA02
, 5F031HA17
, 5F031HA18
, 5F031HA19
, 5F031HA37
, 5F031HA38
, 5F031HA39
, 5F031MA32
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
複合ヒータ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-225093
出願人:日本特殊陶業株式会社
審査官引用 (5件)
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