特許
J-GLOBAL ID：200903054268936813

張り合わせシリコンウェーハおよびその製造方法

発明者：
谷口 徹

谷口 徹 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067720
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251277
出願日： 1998年03月02日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハ外周部の不完全張り合わせ部の幅を減少して面取り幅を縮め、活性層ウェーハの有効面積を拡大する。支持基板用ウェーハがSiO2膜で被われたウェーハの反りを低減し、この膜のHF洗浄液での浸食を防ぐ。【解決手段】 室温で活性層用Siウェーハ1と支持基板用Siウェーハ2とを重ね、その表面をポリシリコン成膜3で被うと、この膜3で外周部間の空隙が埋まる。よって不完全張り合わせ部の半径方向幅が半径方向へ200μm〜800μmに減少する。張り合わせウェーハの外周縁部を幅1mm以下で面取りすれば、不完全部は除去される。活性層ウェーハ1として利用できる範囲が拡大し、その面取り時間も短縮する。ワックスレス研磨では研磨面がダレ難い。支持ウェーハ2では面取り面のSiO2膜を損傷し難く、ウェーハ反りやSiO2膜のHF洗浄液での浸食を防止できる。
請求項（抜粋）：
活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせ、この張り合わせシリコンウェーハの表面をCVD膜により被覆した後、少なくとも上記活性層用シリコンウェーハの外周部に、ウェーハ半径方向の内方に向かって幅1mm以下の面取りを施した張り合わせシリコンウェーハ。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/02
FI (3件)：
H01L 21/304 622 W ,  H01L 21/304 622 Y ,  H01L 21/02 B
引用特許：
審査官引用 (7件)
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