特許
J-GLOBAL ID：200903054311508596

太陽電池

発明者：
萩野 公人

萩野 公人 について

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兼岩 実

兼岩 実 について

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鷲尾 英俊

鷲尾 英俊 について

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鈴木 喜之

鈴木 喜之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-009309
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203376
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 薄膜セルを用いることなく出力特性及び耐放射線性が改善された太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板10の受光面側にPN接合を有し、裏面上にパッシベーション膜18を有する太陽電池であって、受光面の表面にP型不純物拡散層11とP型不純物拡散層11に接続されたP電極12、N型不純物拡散層13とN型不純物拡散層13に接続されたN電極14とを有している太陽電池。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板の受光面側にPN接合を有し、裏面上にパッシベーション膜を有する太陽電池であって、受光面にP型不純物拡散層及び該P型不純物拡散層に接続されたP電極、N型不純物拡散層及び該N型不純物拡散層に接続されたN電極を有していることを特徴とする太陽電池。
FI (3件)：
H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 F
Fターム (13件)：
5F051AA02 ,  5F051BA02 ,  5F051BA18 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051EA18 ,  5F051FA14 ,  5F051FA16 ,  5F051FA17 ,  5F051FA19 ,  5F051FA24 ,  5F051GA14 ,  5F051HA07
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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