特許
J-GLOBAL ID:200903054449840729

封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 成示 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-127594
公開番号(公開出願番号):特開平8-319341
出願日: 1995年05月26日
公開日(公表日): 1996年12月03日
要約:
【要約】【目的】 その成形品の線膨張係数が小さく、熱伝導率が大きく、耐湿信頼性を良好に維持するとともに、摩耗性の小さい封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供する。【構成】 無機充填材の含有量が封止用エポキシ樹脂組成物全量に対して、50〜90重量%である封止用エポキシ樹脂組成物において、前記無機充填材が、タルク、エンステタイト、ペタライト、β-スポジュメン、ワラストナイト、アノーサイト、カオリン、ムライト及びコージライトの群から選択される少なくとも1種を含み、かつ、前記無機充填材に含まれるCl- 、NO3 - 、SO42- 、Na+ 、NH4 + 及びK+ の群から選択される少なくとも1種の不純イオンの含有量が無機充填材の全量に対して50ppm以下である。前記封止用エポキシ樹脂組成物を使用して、リードフレームに搭載された半導体素子を封止してなる。
請求項(抜粋):
エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び無機充填材を含有し、この無機充填材の含有量が封止用エポキシ樹脂組成物全量に対して、50〜90重量%である封止用エポキシ樹脂組成物において、前記無機充填材が、タルク、エンステタイト、ペタライト、β-スポジュメン、ワラストナイト、アノーサイト、カオリン、ムライト及びコージライトの群から選択される少なくとも1種を含み、かつ、前記無機充填材に含まれるCl- 、NO3 - 、SO42- 、Na+、NH4 + 及びK+ の群から選択される少なくとも1種の不純イオンの含有量が無機充填材の全量に対して50ppm以下であることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (3件):
C08G 59/18 NKK ,  C08K 3/34 ,  C08L 63/00 NKX
FI (3件):
C08G 59/18 NKK ,  C08K 3/34 ,  C08L 63/00 NKX
引用特許:
審査官引用 (10件)
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