特許
J-GLOBAL ID：200903054541222560
半導体ウエーハの分割方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-378057
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142398
出願日： 2003年11月07日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】絶縁膜と機能膜から成る積層体が表面に形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、積層体を剥離することなくストリートに沿って個々の半導体チップに分割することができる半導体ウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】半導体ウエーハをストリートに沿って切削ブレードにより切削して個々の半導体チップに分割する際に、ストリートに切削ブレードの幅より広い間隔で第1のレーザー光線を照射し積層体21に一対の第1のレーザー加工溝241を形成する第1の加工溝形成工程と、ストリートにおける一対の第1のレーザー加工溝の両外側間において切削ブレードの幅より広い領域の積層体に第2のレーザー光線を照射し半導体基板に達する第2のレーザー加工溝242を形成する第2の加工溝形成工程と、第2のレーザー加工溝に沿って切削ブレードにより半導体基板を切削する切削工程とを含む。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、該ストリートに沿って切削ブレードにより切削して個々の半導体チップに分割する半導体ウエーハの分割方法であって、
該ストリートに該切削ブレードの幅より広い間隔で第1のレーザー光線を照射し該積層体に一対の第1のレーザー加工溝を形成する第1の加工溝形成工程と、
該ストリートにおける該一対の第1のレーザー加工溝の両外側間において該切削ブレードの幅より広い領域の該積層体に第2のレーザー光線を照射し該半導体基板に達する第2のレーザー加工溝を形成する第2の加工溝形成工程と、
該第2のレーザー加工溝に沿って該切削ブレードにより該半導体基板を切削する切削工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体ウエーハの分割方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, H01L21/78 F
