特許

J-GLOBAL ID：200903054542713370

耐電圧性出力バッファ

発明者： バーナード リー モリス ,  ビジット サコーブハイ パテル
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004796
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274911
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 耐電圧性出力バッファを提供することにある。【解決手段】 集積回路の出力バッファは、ICが動作するように設計した電源電圧レベルより高い電圧レベルに対して改善された耐電圧特性を備えている。第1の伝送ゲート・トランジスタ(110)は、一般的にp-チャンネルであるが、あるノード(114)の抵抗(108)と出力コンダクタ(101)との間に接続されている。ノードは、一般的にp-チャンネルである、第2の伝送ゲート・トランジスタ(105)のゲートにも接続している。抵抗は、あるノードを電源電圧レベル(例えば、グランド)に上げるので、第2の伝送ゲート・トランジスタが正規動作時に導通する。ノードがグランド電位になることを防止するために、少なくとも1つのダイオードのような電圧降下デバイス(201、202)が抵抗と直列に接続されている。

請求項（抜粋）：

プルアップ・トランジスタ(103)と出力(101)に接続されたプルダウン・トランジスタ(112)とを有する出力バッファと、前記のプルアップ・トランジスタ(103)のゲートに接続されたp-チャンネル・トランジスタ(105)を有する伝送ゲートと、前記の出力(101)と前記のプルアップ・トランジスタ(103)の制御電極との間に接続されたp-チャンネル・トランジスタ(109)とを含むと共に、正の電源電圧(VDD)を受けるように接続されたゲートを含む集積回路であって、基準電源電圧(VSS)を受けるように接続された抵抗(108)に前記の伝送ゲートの前記のp-チャンネル・トランジスタ(105)のゲートを接続する或るノード(114)と前記の出力(101)との間に接続されたp-チャンネル・トランジスタ(110)を更に含み、前記の出力バッファが前記の抵抗(108)と直列に接続された少なくとも1つのダイオードのような電圧降下デバイス(201)を更に含むことを特徴とする集積回路。

IPC (3件)：

H03K 19/0175 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H03K 19/00 101 F ,  H01L 27/04 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• オフチップ・ドライバ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-188935   出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスリミテッド
• 出力回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-047008   出願人：松下電子工業株式会社
• オフチップドライバ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-232840   出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスリミテッド
• 出力回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-161442   出願人：松下電器産業株式会社