特許
J-GLOBAL ID：200903054554515841

固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
横山 孝司

横山 孝司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-202227
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024787
出願日： 2004年07月08日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
【課題】 本発明は、リニアリティのよいトランジスタを備えた固体撮像装置を提供するものである。また、本発明は、リニアリティのよいトランジスタを備え、併せて消費電力の低減を図ったCMOS固体撮像装置及びその製造方法を提供するものである。【解決手段】 本発明の固体撮像装置は、画素となる受光部と、該受光部からの信号電荷を読み出すための手段を備え、前記受光部が半導体基板21に形成され、前記手段を構成するうちの、少なくとも能力を必要とするトランジスタが、前記半導体基板21上に設けたSOI構造の半導体層20に形成されていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
画素となる受光部と、該受光部からの信号電荷を読み出すための手段を備え、 前記受光部が半導体基板に形成され、 前記手段を構成するうちの、少なくとも能力を必要とするトランジスタが、前記半導体基板上に設けたSOI構造の半導体層に形成されている ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U
Fターム (20件)：
4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5C024CX43 ,  5C024CY42 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ01 ,  5C024HX01 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41 ,  5C024HX50
引用特許：
審査官引用 (9件)
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