特許
J-GLOBAL ID：200903023811861222
高分子化合物、該高分子化合物を含有するフォトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-316960
公開番号（公開出願番号）：特開2006-096965
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】優れた解像性を有し、矩形性が良好な微細パターンを形成できるとともに、酸発生剤から発生する酸が弱い場合も良好なレジスト特性が得られ、感度も良好なフォトレジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物を用いたフォトレジスト組成物、および該フォトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】アルカリ可溶性基(i)として、アルコール性水酸基、カルボキシル基、およびフェノール性水酸基から選択されるいずれか一つの置換基が、下記一般式(1)【化1】(式中、R1は炭素数20以下の脂肪族環式基であり、nは0または1〜5の整数を表す。)で示される酸解離性溶解抑止基(ii)で保護されていることを特徴とする高分子化合物を用い、本発明のフォトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を構成する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ溶解性が変化し得る高分子化合物であって、
アルカリ可溶性基(i)を有し、このアルカリ可溶性基(i)の水素原子が、下記一般式(1)
IPC (3件)：
C08F 220/28
, G03F 7/039
, H01L 21/027
C08F220/28
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AL08T
, 4J100BA02P
, 4J100BA03S
, 4J100BA03T
, 4J100BA11P
, 4J100BA11R
, 4J100BA20Q
, 4J100BB17T
, 4J100BC08T
, 4J100BC09P
, 4J100BC09S
, 4J100BC12Q
, 4J100BC12T
, 4J100BC53R
, 4J100CA00
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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