特許
J-GLOBAL ID：200903092068840560
研磨剤、研磨方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169048
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022887
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【課題】 MnO2 を砥粒として含んだ研磨剤において、WをSiO2 よりも高い選択比で研磨できる研磨剤、およびかかる研磨剤を使った半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】 MnO2 よりなる砥粒と、溶媒と、添加剤とよりなる研磨剤において、前記添加剤としてベンゼン環を含む化合物を使用し、構成する。
請求項（抜粋）：
MnO2 よりなる砥粒と、溶媒と、添加剤とよりなる研磨剤において、前記添加剤はベンゼン環を含むことを特徴とする研磨剤。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24D 3/00 320
, B24D 3/02 310
H01L 21/304 321 P
, H01L 21/304 321 M
, B24D 3/00 320 Z
, B24D 3/02 310 A
