特許

J-GLOBAL ID：200903054629171221

金属粒子包接薄膜及びその製造方法

発明者： 熊井 葉子 ,  杉本 憲昭 ,  塚田 浩司 ,  市川 勝 ,  福岡 淳
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  長濱 範明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-264773
公開番号（公開出願番号）：特開2004-099386
出願日： 2002年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】粒径が均一で、かつ略等間隔で並んだ金属粒子を備える金属粒子包接薄膜及びその製造方法を提供すること。【解決手段】膜厚が1μm以下であり、かつ中心細孔直径が1〜50nmであるメソポーラスシリカ薄膜と、前記メソポーラスシリカ薄膜の3d-ヘキサゴナル構造又はキュービック構造の細孔内に所定間隔をもって離隔して形成され、かつ平均粒径が0.5〜50nmである金属粒子と、を備えることを特徴とする金属粒子包接薄膜。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

膜厚が1μm以下であり、かつ中心細孔直径が1〜50nmであるメソポーラスシリカ薄膜と、 前記メソポーラスシリカ薄膜の3d-ヘキサゴナル構造又はキュービック構造の細孔内に所定間隔をもって離隔して形成され、かつ平均粒径が0.5〜50nmである金属粒子と、 を備えることを特徴とする金属粒子包接薄膜。

IPC (1件)：

C01B37/02

FI (1件)：

C01B37/02

Fターム (18件)：

4G073BA28 ,  4G073BA32 ,  4G073BA39 ,  4G073BA43 ,  4G073BA47 ,  4G073BD18 ,  4G073BD22 ,  4G073CA07 ,  4G073CZ54 ,  4G073FA15 ,  4G073FB11 ,  4G073FD08 ,  4G073FD24 ,  4G073GA06 ,  4G073GA08 ,  4G073GA11 ,  4G073GA13 ,  4G073UA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• クラスター包接材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-262668   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 高結晶性シリカメソ多孔体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-309625   出願人：財団法人化学技術戦略推進機構
• クラスター包接材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-282081   出願人：株式会社豊田中央研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• メソ細孔薄膜内Pt及びAuナノ細線・粒子の細孔内合成