半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：眞鍋潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-029977
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223353
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】半導体装置に関し、ノン・アロイ・オーミック・コンタクト電極を形成する必要があるGaAs系半導体装置に於いて、電極をコンタクトさせる半導体層のエッチングにドライ・エッチング法の適用を可能にしようとする。【解決手段】 GaAs基板1上に形成された半導体装置に於いて、エミッタ電極9がコンタクトする下地がn-GaAsNSb層8になっているので、塩素系ガスをエッチング・ガスとするドライ・エッチング法を適用してエッチングを行なっても、エッチング反応が阻害されるおそれは皆無である。

請求項（抜粋）：

GaAs系半導体基板上に形成された半導体装置に於いて、金属電極がコンタクトする下地がGaAsNSb層であることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/43 , H01L 21/302 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (6件)：

H01L 29/205 , H01L 29/46 H , H01L 21/302 , H01L 29/72 , H01L 29/80 H , H01L 29/80 F

Fターム (43件)：

4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA07 , 4M104BB11 , 4M104BB15 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104DD28 , 4M104FF13 , 4M104GG06 , 4M104GG12 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 5F003BB08 , 5F003BC08 , 5F003BE01 , 5F003BE04 , 5F003BE08 , 5F003BF06 , 5F003BM02 , 5F003BP08 , 5F003BP12 , 5F003BP23 , 5F004AA16 , 5F004DA00 , 5F004DB19 , 5F004EB01 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GK06 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GM06 , 5F102GN04 , 5F102GN10 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT05 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-296210 出願人：株式会社日立製作所
半導体レ-ザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-061418 出願人：日本電気株式会社
ヘテロ・バイポーラ半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-216157 出願人：富士通株式会社

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