特許
J-GLOBAL ID：200903054644749221

磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリおよびその記録再生方法

発明者：
西村 直樹

西村 直樹 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295708
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190579
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【課題】 書き込み線の本数を減らして簡素化したデバイス構造を実現し、同時に集積度を向上することを目的とする。【解決手段】 磁気抵抗素子とビット線と、書き込み線と電界効果トランジスタからなるセルがマトリックス状に基板上に形成されており、隣接のメモリ素子に接続されているビット線を用いて記録再生を行なうことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に磁化容易軸が膜面垂直方向である第1磁性層と第2磁性層が積層され該磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗膜を有するメモリ素子と、該磁気抵抗素子の前記基板に対向する側に設けられたビット線と、前記第1磁性層または前記第2磁性層の磁化方向を電流によって発生する磁界により変化させる書き込み線とを有するメモリにおいて、前記メモリ素子が前記基板上にマトリックス状に形成され、隣接するメモリ素子に接続されている前記ビット線と前記書き込み線からの磁界によって前記磁気抵抗素子の磁化状態を変化させることを特徴とするメモリ。
IPC (6件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08
FI (6件)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (14件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)

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