特許
J-GLOBAL ID：200903054680785587

電流遮断器付きGaN系半導体装置

発明者：
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 長門 侃二 ,  山中 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353794
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186558
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】高出力マイクロ波スイッチング装置用として、異常電流が回路に流れるのを未然に防ぎ、直ちに自動的に現状回復することができるGaN系半導体装置を提供する。【解決手段】同一基板上に、GaN系半導体材料をヘテロ電界接合トランジスタ10Aとポリマスイッチ10Bとが形成されており、回復機能を有するポリマスイッチ10Bが、ヘテロ電界効果トランジスタ10Aと直列に接続されていることを特徴とする、電流遮断器付きGaN系半導体装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物半導体層から成るGaN系電界効果トランジスタと、 電流遮断器と、を有するGaN系半導体装置であって、 前記電界効果トランジスタと前記電流遮断器とが直列接続され、かつ、前記電流遮断器は回復機能を有することを特徴とする電流遮断器付きGaN系半導体装置。
IPC (7件)：
H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872
FI (5件)：
H01L29/80 P ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/80 B ,  H01L27/04 H ,  H01L29/48 D
Fターム (54件)：
4M104AA04 ,  4M104BB03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD51 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH15 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA06 ,  5F102GA14 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC17 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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