特許
J-GLOBAL ID:200903054707949374

試料分析方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平木 祐輔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-190890
公開番号(公開出願番号):特開2007-279070
出願日: 2007年07月23日
公開日(公表日): 2007年10月25日
要約:
【課題】 設計寸法が0.1μm程度のLSI内部の特定箇所に電圧を直接印加し、デバイス内に生じる現象を観察可能とする。【解決手段】 荷電粒子ビームを用いて、対象試料の任意の領域を微小試料片に加工、摘出する工程に、摘出した微小試料片72に微細導線30a,30bを取り付ける工程、取り付けた微細導線に電圧を印加する工程を加える。【選択図】図12
請求項(抜粋):
集束イオンビームを用いた加工により試料から微小試料片を摘出し、 前記微小試料片を試料ホルダに固定し、 前記微小試料片の所定箇所に微細導線を通電可能に取り付け、 前記微細導線を介して前記微小試料片の前記所定箇所に電圧を印加し、 前記微小試料片の構造変化を透過電子顕微鏡によって観察する試料分析方法。
IPC (1件):
G01N 23/04
FI (1件):
G01N23/04
Fターム (19件):
2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001AA10 ,  2G001BA06 ,  2G001BA07 ,  2G001BA11 ,  2G001BA30 ,  2G001CA03 ,  2G001GA06 ,  2G001GA09 ,  2G001HA13 ,  2G001KA04 ,  2G001KA20 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001QA01 ,  2G001QA10 ,  2G001RA04 ,  2G001RA10
引用特許:
出願人引用 (5件)
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