特許
J-GLOBAL ID：200903054842091258
III族窒化物半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-042241
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243056
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】シリコン基板へのIII族窒化物半導体のヘテロエピタキシにおいて、割れを防止する。【解決手段】基板と分子線エピタキシー装置の分子線源との間に、格子状のマスクを配置し、エピタキシャル膜を小区画に分割して成長させて、内部応力を解放する。基板表面に、その上の正常なエピタキシャル成長を阻害するような酸化膜、窒化物、金属膜等の格子状の異物を設けても良い。
請求項（抜粋）：
IV族半導体基板上にIII族元素の窒化物半導体をエピタキシャル成長する方法において、多数の区画された結晶性の良好な小領域としてエピタキシャル成長することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 21/20
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
, H01S 3/18
