特許
J-GLOBAL ID：200903054874576679

半導体装置の作製方法

発明者：
秋元 健吾

秋元 健吾 について

, 
本田 達也

本田 達也 について

, 
曽根 寛人

曽根 寛人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-177524
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260378
出願日： 2009年07月30日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にゲート電極を形成し、 前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、 フッ素または塩素を含むガスを用いて前記酸化物半導体膜をプラズマエッチングして、薄膜トランジスタのチャネル領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  H01L21/28 301B ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338
Fターム (129件)：
2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA36 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KA24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA15 ,  2H092MA18 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092NA21 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5C094AA21 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094FB02 ,  5C094FB05 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM