特許
J-GLOBAL ID：200903054933489955

半導体装置およびその製造方法

発明者：
松下 重治

松下 重治 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034577
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232204
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 共通の基板上に凹部の横方向の寸法が異なる複数の半導体素子が形成された半導体装置を容易に製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】 共通のGaAs基板40上に、バッファ層1、In0.2 Ga0.8As層2、Al0.22Ga0.78As層3、n-Al0.22Ga0.78Asエッチング停止層4、n-GaAsキャップ層5を順に含む第1および第2の素子領域100,200を形成する。第1および第2の素子領域100,200の上面に第1のSiN膜50を形成した後、第2の素子領域200の第1のSiN膜50を除去する。さらに、第1および第2の素子領域100,200の上面に、第1のSiN膜50と膜質の異なる第2のSiN膜51を形成する。
請求項（抜粋）：
共通の基板上に複数の半導体素子が形成され、前記複数の半導体素子の各々は、第1の半導体層、第2の半導体層および絶縁膜を順に含み、前記複数の半導体素子のうち少なくとも1つの半導体素子の前記絶縁膜が他の半導体素子の前記絶縁膜と異なる膜質を有し、各半導体素子の前記絶縁膜に開口部が形成され、前記絶縁膜の前記開口部下の前記第2の半導体層に前記第1の半導体層が露出するように凹部が形成され、前記少なくとも1つの半導体素子の前記凹部の横方向の寸法が前記他の半導体素子の前記凹部の横方向の寸法と異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/095 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232
FI (2件)：
H01L 29/80 E ,  H01L 27/06 F
Fターム (16件)：
5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16 ,  5F102HC17 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (5件)
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