特許
J-GLOBAL ID：200903054964100894

半導体発光装置

発明者：
朝川 英夫

朝川 英夫 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-380584
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214338
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】導電性粒子を樹脂中に分散させた導電性接着剤をダイボンド樹脂として用いた半導体発光装置において、ワイヤーボンド不良やダイボンド不良を抑制する。【解決手段】半導体発光装置2は、絶縁基体10と、該絶縁基体10上に形成された一対のリード電極12及び13と、リード電極13上に固着された半導体発光素子8とを備える。半導体発光素子8が、導電性粒子を樹脂中に分散して成る導電性接着剤14によってリード電極13に固着され、かつ、その固着されたリード電極13と半導体発光素子8がワイヤーボンディング16によって接続されている。リード電極13の表面に、半導体素子8の固着面に重なるように、少なくとも溝部13a〜13cが形成されており、導電性接着剤14から樹脂成分が滲み出す現象を抑制する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基体と、該絶縁基体上に形成された一対のリード電極と、該リード電極上に固着された半導体素子とを備え、前記半導体素子が、導電性粒子を樹脂中に分散して成る導電性接着剤によって前記リード電極に固着された半導体発光装置において、 前記リード電極の表面に、前記半導体素子の固着面に重なる溝部が少なくとも1つ形成されたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L23/04
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  H01L23/04 E
Fターム (6件)：
5F041AA25 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA17 ,  5F041DA25 ,  5F041DA29
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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