特許
J-GLOBAL ID：200903054964483203
太陽電池素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-082900
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244166
出願日： 2007年03月27日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】 素子特性の低下を抑制し、且つ、半導体基板の反りを低減することができる太陽電池素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 一主面に導電性ペーストが形成された半導体基板を、450°C以上の最高焼成温度で焼成する焼成工程と、前記最高焼成温度からの冷却過程の250°C以上の温度領域において、7.5°C/秒以下の冷却速度を所定時間維持する維持工程とを備えて成る太陽電池素子の製造方法とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
一主面に導電性ペーストが形成された半導体基板を、450°C以上の最高焼成温度で焼成する焼成工程と、
前記最高焼成温度からの冷却過程の250°C以上の温度領域において、7.5°C/秒以下の冷却速度を所定時間維持する維持工程と、を備えることを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051AA16
, 5F051BA11
, 5F051CB13
, 5F051CB20
, 5F051CB27
, 5F051CB29
, 5F051DA03
, 5F051FA10
, 5F051FA14
, 5F051FA15
, 5F051FA25
, 5F051GA04
, 5F051HA03
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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