特許
J-GLOBAL ID：200903054979236148

半導体装置の製造方法

発明者：
片岡 耕太郎

片岡 耕太郎 について

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岩田 浩

岩田 浩 について

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中野 雅行

中野 雅行 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108671
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303145
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 高融点金属とシリコンを反応させ高融点金属シリサイド膜を形成する工程において、その前処理として、シリサイド膜を形成しようとするシリコン表面上の不純物を除去することにより、電気抵抗の低い良好なシリサイド膜を得る。【解決手段】 シリコン半導体上に、還元性を有するチタン膜を500°C以下の基板温度においてスパッタリング法によって堆積させ、チタン膜を除去することによって清浄なシリコン表面を得た後、シリコン表面へ高融点金属を堆積させ、熱処理を行うことにより、信頼性が高く抵抗の低い良好な高融点金属シリサイド膜を得る。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体上に電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン半導体上に500°C以下の基板温度でチタン膜を堆積する工程と、該チタン膜を除去することで前記シリコン半導体上の汚染物質を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 29/78 301 P
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (4件)
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