特許
J-GLOBAL ID：200903087927720748

半導体装置の製造方法

発明者：
角 ▲博▼文

角 ▲博▼文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-069015
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264483
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 浅い不純物拡散層上に選択的に形成する遷移金属シリサイド層を、平滑かつ低シート抵抗に形成する。【構成】 不純物拡散層6上の自然酸化膜を、高密度プラズマエッチング装置により、低基板バイアスでソフトエッチングする。この後、連続的に遷移金属層7を形成し、熱処理を施すことにより、不純物拡散層6上に遷移金属シリサイド層8を選択的に形成する。自然酸化膜除去後、不純物拡散層表面を非晶質化してもよい。【効果】 不純物拡散層6上の自然酸化膜は均一に除去され、不純物拡散層表面に結晶欠陥等のダメージや面粗れが発生することがない。このため、シリサイド化反応において結晶粒の凝集がなく、平滑で低抵抗な遷移金属シリサイド層8が形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の少なくとも不純物拡散層上に、遷移金属層を形成する工程、熱処理を施し前記不純物拡散層上に自己整合的に遷移金属シリサイド層を形成する工程、前記不純物拡散層上以外の遷移金属層を除去する工程を具備する半導体装置の製造方法であって、前記遷移金属層を形成する工程の前に、前記不純物拡散層上の自然酸化膜を、1×1011/cm3 以上1×1014/cm3 未満のプラズマ密度が得られるプラズマエッチング装置により除去し、連続的に前記遷移金属層を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (2件)：
H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 P
引用特許：
審査官引用 (21件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-247433   出願人：沖電気工業株式会社
  • 特開平4-147969
  • 特開平4-147969
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