特許

J-GLOBAL ID：200903055006039280

気化・堆積装置および方法

発明者： ソメクー, サッソン ,  ツァオ, ジュン ,  ドーンフェスト, チャールズ ,  サホト, タレックス ,  セリュティン, レオニッド ,  ク, ヴィンセント ,  ワン, クリス ,  チャン, フランク ,  タン, ポ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-511223
公開番号（公開出願番号）：特表2001-516960
出願日： 1998年09月03日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】本発明は流体前駆物質の気化およびフィルムを適当な基板上に堆積する装置および方法に関する。特に、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化チタン(BST)フィルムのような金属酸化物フィルムをシリコン・ウエハ上に堆積して、高容量ダイナミック・メモリ・モジュールに有用な集積回路コンデンサを製作する装置および方法を企図している。

請求項（抜粋）：

a)一つ以上の温度制御された面を有するエンクロージャーを形成するチャンバボディと; b)チャンバボディ上に可動にマウントされ、加熱主部と外方温度制御カラーとを有するリッドと; c)ガス分配部材に連結され、このガス分配部材に一つ以上のガスを送るように適用されたガス・マニホルドを備えた加熱ガス分配アセンブリと; d)チャンバボディに連結され、その中に配備された温度制御ライナを有する排気口と; を具備するフィルムを堆積する処理チャンバ。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/52

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/52

Fターム (42件)：

4K030AA11 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030JA10 ,  4K030KA25 ,  4K030KA28 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD06 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EB05 ,  5F045EB09 ,  5F045EB10 ,  5F045EC05 ,  5F045EC07 ,  5F045EC08 ,  5F045EC09 ,  5F045EE02 ,  5F045EE05 ,  5F045EE14 ,  5F045EG08 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EM10 ,  5F045GB05

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 薄膜気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-108465   出願人：株式会社荏原製作所
• ガス導入管付反応器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-115756   出願人：国際電気株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-021256   出願人：国際電気株式会社
• 防着板およびそれを用いた真空装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-334222   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-008330
  
• 特開平4-346035
  
• Si基板上へのGaAs膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-105992   出願人：クラリオン株式会社