特許
J-GLOBAL ID：200903055014332523

半導体装置の製造方法

発明者：
佐藤 峰一

佐藤 峰一 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-167156
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344670
出願日： 2005年06月07日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
【課題】半導体製造装置において、ウエハステージ上に搭載された半導体ウエハの面内温度の均一化を図る。【解決手段】半導体ウエハ6を下部電極4上に搭載し、静電吸着により下部電極4のウエハ載置面と半導体ウエハ6の裏面とを面接触により密着させて、下部電極4を貫通する複数の第2の開口9から挿入された接触温度計13を半導体ウエハ6の裏面に接触させる。接触温度計13により半導体ウエハ6の裏面の複数箇所の温度を個別に測定し、第2の開口9と対をなして形成され、半導体ウエハ6の裏面へ冷却ガスを導入する第1の開口8に接続した冷却ガス配管10が装備するコントローラ11へ半導体ウエハ6の温度に関する情報を伝え、コントローラ11により冷却ガスの圧力を複数箇所で個別に制御する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ウエハステージを備え、 前記ウエハステージの裏面とウエハ載置面とを貫通する第1の開口と、前記ウエハステージの裏面とウエハ載置面とを貫通する第2の開口とが前記ウエハステージに形成され、前記第1の開口と前記第2の開口とが対をなして複数箇所に配置され、 前記第1の開口を通して半導体ウエハの裏面の複数箇所に冷却ガスを導入することにより前記半導体ウエハが冷却され、 前記第2の開口を通して前記半導体ウエハの裏面の複数箇所の温度が個別に測定され、 前記第1の開口毎に、前記冷却ガスの圧力を制御するコントローラを装備する冷却ガス配管が接続された半導体製造装置を用いて、前記半導体ウエハの裏面と前記ウエハステージのウエハ搭載面とを静電吸着により接触させて、前記半導体ウエハに所要の処理が施される半導体装置の製造方法であって、 前記第2の開口を通して得られた前記半導体ウエハの複数箇所の温度に関する情報を前記第2の開口と対をなす前記第1の開口に接続された前記冷却ガス配管に装備される前記コントローラへ伝えることにより、前記第1の開口から前記半導体ウエハの裏面に導入される前記冷却ガスの圧力を複数箇所で個別に制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/683 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306
FI (4件)：
H01L21/68 R ,  C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 101G
Fターム (31件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA26 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BD04 ,  5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031JA01 ,  5F031JA46 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031NA04 ,  5F031PA11 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EJ10 ,  5F045EM05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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