特許
J-GLOBAL ID：200903098112523974
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284346
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114664
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 実用性の更なる向上のために、共振面を劈開により形成してもp電極の剥がれを防止すると共に放熱性を改善し、信頼性の高い寿命特性の良好な窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 ストライプ側面に絶縁膜62を有するリッジ形状のストライプを有し、該ストライプの最上層に形成されたp電極20の一部分からリッジ形状のストライプの側面にかけて形成された絶縁性保護膜201を有し、この上にp電極20に電気的に接続して形成されたpパッド電極101を有し、更に共振面が劈開により形成されてなる。
請求項（抜粋）：
ストライプ側面に絶縁膜を有するリッジ形状のストライプを有し、該ストライプの最上層にp電極を有し、前記リッジ形状のストライプ長さ方向に対して垂直な方向に劈開して形成された劈開面に共振面を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記p電極の一部分からリッジ形状のストライプの側面にかけて形成された絶縁性保護膜を有し、更にこの上に、p電極に電気的に接続して形成されたpパッド電極を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Fターム (10件)：
5F073AA13
, 5F073AA22
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA32
