特許

J-GLOBAL ID：200903055087909284

新規な表面処理方法及び処理剤

発明者： 林田 一良 ,  柿沢 政彦
出願人/特許権者： 和光純薬工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-027496
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254581
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【構成】半導体の表面を無機又は有機のアルカリ、過酸化水素及び水を主たる構成成分とする半導体表面処理剤で洗浄する工程と、洗浄後これを超純水でリンスする工程とから成る半導体表面処理方法であって、半導体表面処理剤とリンス用超純水の少くとも何れか一方に、分子中に-C(=O)-N(OH)-基を3以上有する錯化剤又はその塩(以下、これらを総称して、単に、「本発明に係る錯化剤」と略記する。)を存在させて該処理を行う方法、及び処理用薬剤。【効果】本発明に係る錯化剤を半導体表面処理工程に於ける処理剤又はリンス液中に有機物汚染の害を及ぼさない程度の微量添加することにより、シリコン表面のAl濃度を熱酸化にあたっての酸化膜成長速度に影響しない程度まで低減できる。

請求項（抜粋）：

半導体の表面を無機又は有機のアルカリ、過酸化水素及び水を主たる構成成分とする半導体表面処理剤で洗浄する工程と、洗浄後これを超純水でリンスする工程とから成る半導体表面処理方法であって、半導体表面処理剤とリンス用超純水の少くとも何れか一方に、分子中に-C(=O)-N(OH)-基を3以上有する錯化剤又はその塩(以下、これらを総称して、単に、「本発明に係る錯化剤」と略記する。)を存在させて該処理を行う方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/308 ,  C11D 7:04 ,  C11D 7:32 ,  C11D 7:18