超小型電子構造体

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-587359
公開番号（公開出願番号）：特表2002-532872
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2002年10月02日
要約：

【要約】第一の導電層(20、25)が酸素拡散を防止する、超小型電子構造体を提案する。このために、第一の導電層(20、25)は、ベース材料と、少なくとも1種の酸素結合添加剤とからなる。該添加剤は、第IV副族から、またはランタノイドからの元素を少なくとも1種有する。有利には超小型電子構造体は、コンデンサ誘導体として金属酸化物誘電体を有する半導体メモリ部材において使用される。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの基板(10)と、第一の導電層(20、25)とを有する超小型電子構造体において、第一の導電層(20、25)が、少なくとも1種の酸素結合添加剤を有するベース材料少なくとも1種からなり、該添加剤は第IV副族またはランタノイドからの元素少なくとも1種を含有することを特徴とする、超小型電子構造体。

Fターム (10件)：

5F083FR02 , 5F083GA25 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (6件)

高誘電キャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-002602 出願人：三星電子株式会社
電子材料、その製造方法、誘電体キャパシタ、不揮発性メモリおよび半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-112850 出願人：ソニー株式会社
半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-097071 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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