特許

J-GLOBAL ID：200903036238022282

電子材料、その製造方法、誘電体キャパシタ、不揮発性メモリおよび半導体装置

発明者： 香取 健二 ,  ニコラス ナーゲル ,  渡部 浩司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-112850
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242409
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 誘電体キャパシタの誘電体膜の材料としてPZTはもちろん、高温の熱処理が必要なSBTなどをも用いることを可能とする電子材料、その製造方法、誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 誘電体キャパシタの下部電極、例えばPt膜5の下側に、組成式MIaMIIb Oc (ただし、a、b、cは原子%で表した組成、MI はPt、Ir、Ru、RhおよびPdからなる群より選ばれた少なくとも一種の貴金属、MIIはHf、Ta、Zr、Nb、V、MoおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表す)で表され、その組成範囲が90≧a≧40、15≧b≧2、4≦c、a+b+c=100である材料からなる拡散防止層、例えばIr-Hf-O膜3を設ける。

請求項（抜粋）：

組成式MIaMIIb Oc (ただし、a、b、cは原子%で表した組成、MI はPt、Ir、Ru、RhおよびPdからなる群より選ばれた少なくとも一種の貴金属、MIIはHf、Ta、Zr、Nb、V、MoおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表す)で表され、その組成範囲が90≧a≧40、15≧b≧2、4≦c、a+b+c=100であることを特徴とする電子材料。

IPC (10件)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 ,  H01B 1/08 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 K ,  H01B 1/08 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平4-181766
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-169761   出願人：三菱電機株式会社
• キャパシタ、電極構造及び半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136788   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 酸素拡散バリア性電極とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-089184   出願人：日本電気株式会社
• II-VI族化合物半導体素子用電極及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-281996   出願人：住友電気工業株式会社
• 薄膜キャパシタおよび半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-063539   出願人：株式会社東芝