半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-193514
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031081
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】この発明は、製造時間が短縮でき、また高い製造歩留りが確保できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】この発明の半導体装置の製造方法は、絶縁性基板10上に非単結晶シリコン薄膜から成る第1薄膜30を形成し、第1薄膜30上に第2薄膜53を形成し、この第2薄膜53をエッチングしマスクパターン54を形成し、マスクパターン54を介して第1薄膜30に不純物イオンを注入しソース及びドレイン領域31,33を形成する工程とを備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、マスクパターン54形成工程とソース及びドレイン領域31,33形成工程とを、大気に晒されることなく連続して行なう。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に非単結晶シリコン薄膜から成る第1薄膜を形成する工程と、前記第1薄膜上に第2薄膜を形成する工程と、前記第2薄膜をエッチングしマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンを介して前記第1薄膜に不純物イオンを注入する工程とを備えた半導体装置の製造方法において、前記マスクパターン形成工程と前記イオン注入工程とを、大気に晒されることなく連続して行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/266 , G02F 1/136 500 , H01L 21/265 , H01L 21/3065 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/265 M , G02F 1/136 500 , H01L 21/265 F , H01L 21/302 J , H01L 29/78 627 B , H01L 29/78 627 C

Fターム (36件)：

2H092JA25 , 2H092JA33 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA19 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA15 , 2H092MA17 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 5F004BA03 , 5F004BA20 , 5F004BB03 , 5F004BB13 , 5F004CA01 , 5F004CA06 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004DB12 , 5F004DB30 , 5F004DB31 , 5F004EA09 , 5F004EB02 , 5F004FA02

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-089670
結晶性シリコン半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-032969 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平2-237122

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