特許
J-GLOBAL ID：200903078330106470

結晶性シリコン半導体装置の製造方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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楠本 直人

楠本 直人 について

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大沼 英人

大沼 英人 について

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竹村 保彦

竹村 保彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032969
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204208
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 粒界を有する結晶性シリコンに1×1015〜1×1018原子/cm3の低濃度のN型もしくはP型不純物をドーピングし、シリコンの導電型を制御する方法を提供する。【構成】 粒界を有する結晶性シリコンに、N型もしくはP型不純物元素を有するイオンを加速して、1×1015〜1×1018原子/cm3 の濃度にドーピングしたのち、レーザー光等のパルス状の強光を照射することにより、活性化をおこなう。もしくは、ドーピング時に基板を100〜400°Cに加熱しておくと、その後の活性化工程は不要である。かくして、ドーピングされた不純物が優先的に粒界に析出することがなく、不純物の活性化率を向上せしめることが可能であり、特に絶縁ゲイト型電界効果半導体素子(例えば、TFTのチャネル)の導電型を微妙に制御することができる。
請求項（抜粋）：
(1)基板上に形成された非単結晶の結晶性シリコン被膜にN型もしくはP型の導電型を付与する不純物を有するイオンを照射することによって、該シリコン被膜に1×1015〜1×1018原子/cm3 の濃度でN型もしくはP型不純物を添加する工程と、(2)該シリコン膜にパルス状のレーザーもしくはそれと同等な強光を照射する工程と、(3)該シリコン膜上にゲイト絶縁膜およびゲイト電極を形成する工程と、を有し、前記工程(1)以後の工程において、該シリコン膜を450°C以上の温度で熱アニールしないことを特徴とする結晶性シリコン半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265
FI (5件)：
H01L 29/78 616 L ,  H01L 21/265 B ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F
引用特許：
審査官引用 (5件)
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