特許
J-GLOBAL ID：200903055200706654
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-168572
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335793
出願日： 2006年06月19日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】発光効率と信頼性との両方が高い半導体発光素子が要求されている。【解決手段】 発光効率と信頼性との両方が高い半導体発光素子は、発光半導体1と、導電性を有する支持基板2と、光反射金属層3と、第1及び第2の貼合せ金属層4、5と、マイグレーション抑制層6とを有する。光反射金属層3は、発光半導体領域1の1つの主面13の内側部分13aに配置され、マイグレーション抑制層6は外周部分13bに配置されている。第1の貼合せ金属層4は、光反射金属層3とマイグレーション抑制層6との両方を覆うように形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一方の主面と他方の主面とを有し且つ光を発生するための複数の半導体層を有している発光半導体領域と、
前記発光半導体領域の前記他方の主面の外周部分の少なくとも一部には配置されずに前記外周部分よりも内側の部分に配置された光反射金属層と、
前記発光半導体領域の前記他方の主面における前記光反射金属層が設けられていない前記外周部分の少なくとも一部に配置され且つ前記光反射金属層に含まれている金属のマイグレーションを抑制する機能を有しているマイグレーション抑制層と、
前記発光半導体領域を支持するための支持基板と、
前記光反射金属層及び前記マイグレーション抑制層と前記支持基板との間に配置され且つ前記光反射金属層よりもマイグレーションが発生し難い材料で形成されている貼合せ金属層と、
前記発光半導体領域の前記一方の主面に設けられた電極と
を備えていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F041AA03
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA40
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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