特許

J-GLOBAL ID：200903055405163858

メタライゼーション構造

発明者： 臼井 孝公 ,  パトリック・ダブリュー・デハーヴェン ,  ケニス・ピー・ロッドベル ,  ロナルド・ジー・フィリッピ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-112455
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308362
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】 優れた電気移動を示し、高度にテクスチャ化され、特に電気接続または電気配線を形成するのに適したメタライゼーション構造を提供すること。【解決手段】 このメタライゼーション構造は、約90オングストロームないし約110オングストロームの厚さを有する、チタンのようなIVA族金属の下層13、および前記下層に電気接触するアルミニウムおよびアルミニウム合金からなるグループから選択された少なくとも1つの成分の層15を含む。

請求項（抜粋）：

約90オングストロームないし約110オングストロームの厚さを有するIVA族金属の下層と、前記下層に電気接触するアルミニウムおよびアルミニウム合金からなるグループから選択された少なくとも1つの成分の層とを含むメタライゼーション構造。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 28/02 ,  C23C 14/14 ,  C23C 16/06

FI (5件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 28/02 ,  C23C 14/14 G ,  C23C 16/06

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-025324   出願人：松下電子工業株式会社
• 配線構造の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-070957   出願人：ソニー株式会社
• 配線形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-096120   出願人：ヤマハ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-145621   出願人：ヤマハ株式会社
• 積層膜、その形成方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-261587   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社