特許
J-GLOBAL ID：200903055475097330
ウエハーの分割方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-016841
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214997
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 ケガキ(スクライブ)や溝切り(ダイシング)による交点での特異な割れやすい方向が生じるのを防ぎ、チッピングやクラックやいびつな形状の素子の発生を押さえ、発光特性を良好に保つ。【解決手段】 基板1上に基板と異なる結晶系の窒化ガリウム系半導体2〜6が積層されたウエハーを分割する方法において、第1の方向と第1の方向と直交する第2の方向にスクライブまたは溝形成を行い、そのスクライブ線11、12の交点に溝または孔13を設けた後、ウエハーを分割する。または第1の方向にスクライブまたは溝形成を行った後、その第1の方向に直交する第2の方向に第1のスクライブ線または溝を確実に横断する幅広で深さの深い溝を形成した後、ウエハーを分割する。
請求項（抜粋）：
基板上に基板と異なる結晶系の窒化ガリウム系半導体が積層されたウエハーを分割する方法において、第1の方向と第1の方向と直交する第2の方向にスクライブまたは溝形成を行い、その交点に溝または孔を設けた後、ウエハーを分割することを特徴とするウエハーの分割方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/301
, H01L 21/86
H01L 33/00 C
, H01L 21/78 L
, H01L 21/86
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (10件)
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