特許
J-GLOBAL ID：200903055488363420
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-339813
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142729
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の低コスト化を達成すると共に動作電圧の低減を図ることが困難であった。【解決手段】 不純物ドープの導電性を有するシリコン半導体基板1の上にSiドープAlNバッファ層2を介して窒化ガリウム系半導体層を含む発光機能半導体領域3を設ける。半導体領域3の上面にアノード電極4を設け、基板1の下面にカソード電極5を設ける。
請求項（抜粋）：
不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有している第1導電形の基板と、前記基板の一方の主面上に形成され且つドナ-不純物又はアクセプタ不純物がド-ピングされている窒化アルミニウム層と、発光機能を得るために前記窒化アルミニウム層の上に形成され且つ複数の窒化物系化合物半導体層を有している半導体領域と、前記半導体領域の表面上に形成された第1の電極と、前記基板の他方の主面に形成された第2の電極とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (6件)：
5F041AA21
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
